Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

Kingston KVR533D2N4 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Punteggio complessivo
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    45 left arrow 75
    Intorno -67% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    6.9 left arrow 1
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    6.3 left arrow 1,672.1
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 4200
    Intorno 4.05 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    75 left arrow 45
  • Velocità di lettura, GB/s
    1,943.5 left arrow 6.9
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,672.1 left arrow 6.3
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    4200 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    301 left arrow 1499
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti