Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

Kingston KVR533D2N4 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

Puntuación global
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Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    45 left arrow 75
    En -67% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    6.9 left arrow 1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    6.3 left arrow 1,672.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 4200
    En 4.05 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    75 left arrow 45
  • Velocidad de lectura, GB/s
    1,943.5 left arrow 6.9
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,672.1 left arrow 6.3
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    4200 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    301 left arrow 1499
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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