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Kingston KVR533D2N4 512MB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Vergleichen Sie
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Gesamtnote
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gesamtnote
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
75
Rund um -134% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
1,672.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
4200
Rund um 4.57 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
75
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
1,943.5
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,672.1
11.9
Speicherbandbreite, mbps
4200
19200
Other
Beschreibung
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
301
2831
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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