RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
75
Wokół strony -134% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
4200
Wokół strony 4.57 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
32
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
19200
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
2831
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link