RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Сравнить
Kingston KVR533D2N4 512MB против Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR533D2N4 512MB
Средняя оценка
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
75
Около -134% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
1,672.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
4200
Около 4.57 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
32
Скорость чтения, Гб/сек
1,943.5
15.9
Скорость записи, Гб/сек
1,672.1
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
19200
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
301
2831
Kingston KVR533D2N4 512MB Сравнения RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link