Kingston KVR533D2N4 512MB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB

Kingston KVR533D2N4 512MB против Shenzhen Technology Co Ltd 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Средняя оценка
star star star star star
Shenzhen Technology Co Ltd  8GB

Shenzhen Technology Co Ltd 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    32 left arrow 75
    Около -134% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    15.9 left arrow 1
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    11.9 left arrow 1,672.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 4200
    Около 4.57 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    75 left arrow 32
  • Скорость чтения, Гб/сек
    1,943.5 left arrow 15.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,672.1 left arrow 11.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    4200 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    301 left arrow 2831
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения