RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Vergleichen Sie
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Gesamtnote
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
15.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
50
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
1,905.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,143.3
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,905.1
12.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
855
3023
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link