RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Vergleichen Sie
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
17.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
33
Rund um -18% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
13.5
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3285
3336
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link