RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Compara
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
17.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
33
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
12.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
28
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3285
3336
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link