RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
17.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
28
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3336
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link