RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Vergleichen Sie
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
38
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
16.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
13.7
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3285
3206
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link