RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
38
Около 13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
16.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.7
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
38
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
16.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
3206
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link