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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Confronto
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
38
Intorno 13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
16.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
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Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
12.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
38
Velocità di lettura, GB/s
17.8
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3285
3206
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Confronto tra le RAM
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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