RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB vs Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Gesamtnote
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB
Gesamtnote
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,350.7
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
74
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
74
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,148.3
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,350.7
11.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
669
2907
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8HS5 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link