Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB

Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB vs Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB

Gesamtnote
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Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB

Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB

Gesamtnote
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Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB

Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB

Unterschiede

  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4 left arrow 15
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,350.7 left arrow 11.6
    Durchschnittswert bei den Tests
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    37 left arrow 74
    Rund um -100% geringere Latenzzeit
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 6400
    Rund um 3.33 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    74 left arrow 37
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4,148.3 left arrow 15.0
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,350.7 left arrow 11.6
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    669 left arrow 2907
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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