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Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Compara
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB vs Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Puntuación global
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB
Puntuación global
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,350.7
11.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
74
En -100% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
37
Velocidad de lectura, GB/s
4,148.3
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,350.7
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
669
2907
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
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Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
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