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Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Compara
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB vs Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Puntuación global
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB
Puntuación global
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,350.7
11.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
74
En -100% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
37
Velocidad de lectura, GB/s
4,148.3
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,350.7
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
669
2907
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
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