RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
40
Rund um -60% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
12.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2035
3187
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMT32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link