RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gesamtnote
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
29
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.2
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
15.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2112
3629
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link