RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gesamtnote
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
29
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.3
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
15.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2112
3583
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link