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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
29
Por volta de 3% menor latência
Razões a considerar
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.4
12.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.3
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
29
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
15.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
3583
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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