RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3583
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link