RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
33
Rund um 15% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.3
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
13.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2112
3238
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link