RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
40
Rund um 30% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.0
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
14.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2112
2965
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link