RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
37
Rund um 24% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
9.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2112
1949
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston 9965525-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link