RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
37
Около 24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.9
9.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
37
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
9.5
Скорость записи, Гб/сек
9.0
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
1949
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link