RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Compara
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
37
En 24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.9
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
7.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
37
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
9.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
1949
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link