RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gesamtnote
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
30
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2112
2154
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link