RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Kingston K6VDX7-HYD 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около 7% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
7.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.5
12.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
13.5
Скорость записи, Гб/сек
9.0
7.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
2154
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link