RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
12.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2154
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link