RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
104
Wokół strony -373% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3013
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
INTENSO 5641152 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link