RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
12.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
104
Около -373% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
22
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
17.5
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3013
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link