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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
104
左右 -373% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
22
读取速度,GB/s
3,192.0
17.5
写入速度,GB/s
2,404.5
12.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
3013
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
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Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965662-012.A01G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
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