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Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
比较
Corsair VS1GB800D2 1GB vs Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
总分
Corsair VS1GB800D2 1GB
总分
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VS1GB800D2 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
52
左右 10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.6
1,361.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
52
读取速度,GB/s
4,680.7
14.7
写入速度,GB/s
1,361.1
11.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
460
2814
Corsair VS1GB800D2 1GB RAM的比较
Unifosa Corporation GU342G0ALEPR692C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
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