RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
104
Autour de -373% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
22
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
3013
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link