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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
40
Rund um 30% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
28
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
12.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
8.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2112
1789
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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