Porównanie pamięci RAM Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Wynik ogólny

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

28 40

Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

12.9 12.3

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

9.0 8.9

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Pełna lista specyfikacji technicznych

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2112 1789

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns