Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 40
    Около 30% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    12.9 left arrow 12.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.0 left arrow 8.9
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    28 left arrow 40
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.9 left arrow 12.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.0 left arrow 8.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2112 left arrow 1789
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения