RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
35
Rund um 29% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
14900
Rund um 1.14 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
9.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
7.9
Speicherbandbreite, mbps
14900
17000
Other
Beschreibung
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2696
2126
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link