RAM-Vergleich Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Gesamtnote

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

25 35

Rund um 29% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

15.4 9.8

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

11.3 7.9

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Höhere Speicherbandbreite, mbps

17000 14900

Rund um 1.14 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-10-9-28 / 1866 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2696 2126

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns