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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
総合得点
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
35
周辺 29% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.4
9.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.3
7.9
テスト平均値
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
14900
周辺 1.14 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
35
読み出し速度、GB/s
15.4
9.8
書き込み速度、GB/秒
11.3
7.9
メモリ帯域幅、mbps
14900
17000
Other
商品説明
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2696
2126
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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