Confronto tra le RAM Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Punteggio complessivo

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

25 35

Intorno 29% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

15.4 9.8

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

11.3 7.9

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

17000 14900

Intorno 1.14 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-10-9-28 / 1866 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2696 2126

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns