RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gesamtnote
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
58
Rund um -142% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,025.3
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
14.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
670
3167
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link