RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Porównaj
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wynik ogólny
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,107.0
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
58
Wokół strony -142% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,025.3
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,107.0
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
670
3167
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link