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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
14.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
58
En -142% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
24
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
3167
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
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