RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gesamtnote
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
56
58
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.3
4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
2,107.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
56
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,025.3
9.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
7.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
670
2200
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link