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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Pontuação geral
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Razões a considerar
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
56
58
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.3
4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.7
2,107.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
56
Velocidade de leitura, GB/s
4,025.3
9.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,107.0
7.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
670
2200
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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