RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Сравнить
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
56
58
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.3
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
2,107.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
56
Скорость чтения, Гб/сек
4,025.3
9.3
Скорость записи, Гб/сек
2,107.0
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
670
2200
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link