RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
48
Rund um 29% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
16.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
48
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
8.3
Speicherbandbreite, mbps
21300
25600
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2616
2196
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link