RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
51
61
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
61
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
8.9
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2089
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link