RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
51
61
Intorno 16% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
8.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
15.6
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
61
Velocità di lettura, GB/s
15.6
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
8.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
2089
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link