RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
51
61
Intorno 16% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
8.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
15.6
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
61
Velocità di lettura, GB/s
15.6
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
8.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
2089
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link