RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
51
Rund um -38% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
14.2
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
3171
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CM3X2G1600C8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link