RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
51
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
37
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
17.8
Скорость записи, Гб/сек
11.8
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3171
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Mushkin 996902 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link