RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
51
Rund um -31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
10.5
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2815
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link